快闪电可抹除唯读存储器装置的抹除方法专利登记公告

专利名称：快闪电可抹除唯读存储器装置的抹除方法

摘要：一种快闪电可抹除唯读存储器装置的抹除方法，该方法包含有：在一F/N通道穿隧期间，对井电极与第二半导体区域施加一正极性的第一电压偏压，且对控制栅极电极施加一负极性的第二电压偏压；在F/N通道穿隧期间之后的缺陷减少期间，对井电极与第二半导体区域施加一正极性的第三电压偏压，且对控制栅极电极施加一第一零电压偏压；以及在缺陷减少期间之后的缺陷辅助穿隧期间，对控制栅极电极施加一负极性的第四电压偏压，且该井电极与该第二半导体区域施加一第二零电压偏压。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010287.7

专利申请（专利权）人：闪晶半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：王立中;黄瑞鸿

主权项：一种快闪电可抹除唯读存储器装置的抹除方法，所述的装置包含有一传导类型的一第一半导体区域形成于一相反传导类型的一第二半导体区域之中；一源极与漏极区域形成自所述的相反传导类型的一半导体层且位于所述的第一半导体区域中；一井电极形成自所述的传导类型的一半导体层且位于所述的第一半导体区域；一电荷储存层利用一介电层与所述的第一半导体层电性隔离，且所述的电荷储存层具有电荷保持特性；以及一控制栅极电极利用一金属导线间绝缘材料与所述的电荷储存层电性隔离，其特征在于，所述的方法包含有：在一F/N通道穿隧期间，对所述的井电极与

专利地区：台湾