一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法专利登记公告

专利名称：一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法

摘要：本发明涉及一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法，热系统采用的线圈为正方形线圈，正方形线圈线中心的孔为正方形孔，正方形线圈包括4条狭缝，所述方法包括如下步骤：a、扩肩时逐渐以-1～-4rpm/min的速率逐渐关闭下轴转速；b、关闭下轴转速时，需降低加热线圈的功率和上轴速度；c、扩肩需要缓慢扩肩，扩肩角度≤40°；本发明热系统采用的线圈为正方形线圈，所生产的区熔硅单晶柱为方形，只需进行一些平整度加工即可进行切片，材料利用率由原来的63.66%提高到了95%以上，大大降低了区熔硅单晶太阳能电池的成本，节省

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010550.2

专利申请（专利权）人：天津市环欧半导体材料技术有限公司

专利发明（设计）人：张雪囡;王彦君;王岩;高树良;沈浩平

主权项：一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法，其特征在于：生产方形区熔硅单晶的热系统采用的线圈为正方形线圈，正方形线圈形状为铜质扁平状方盘，正方形线圈的作用为调整电流分布，使得线圈表面电流路径为正方形，从而使正方形线圈所产生的温度分布的等温线为正方形，正方形线圈中心为正方形孔，正方形线圈上有4条狭缝，4条狭缝分别位于正方形线圈的对角线上；其中一条狭缝延伸至线圈外部、另三条狭缝的长度为线圈对角线长度的0.2～0.3倍；所述方法包括如下次序步骤：扩肩时逐渐以?1～?4rpm/min的速率逐渐关闭下轴转速；关闭下

专利地区：天津