锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法专利登记公告

专利名称：锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法

摘要：本发明公开了一种采用(Sb3/4Li1/4)对PZT进行B位复合取代改性，制备高性能压电陶瓷的方法，步骤为：按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料，其中x＝1～3mol％；经过800℃～900℃合成、成型、排塑、于1200℃烧结，再经烧银，并于120℃硅油浴中，加以3kV/mm的直流电压极化15min。本发明通过调整(Sb3/4Li1/4)的取代量，显著提高了压电性能。当复合取代量x＝2mol％，合成温度为850℃时，获得了最佳综合压电性能

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010799.3

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：马卫兵;李建平;孙清池;刘志华;吴涛

主权项：一种高性能的锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1?xO3，其中x＝1～3mol％。

专利地区：天津