一种非晶纳米多孔二氧化钛复合材料及其沉积硫化镉的方法专利登记公告

专利名称：一种非晶纳米多孔二氧化钛复合材料及其沉积硫化镉的方法

摘要：本发明公开了一种非晶纳米多孔二氧化钛复合材料及其沉积硫化镉的方法，首先利用电化学脱合金法制备纳米多孔二氧化钛，然后在非晶纳米多孔二氧化钛中沉积CdS，最后进行退火处理。本发明实现硫化镉纳米颗粒的均匀分布和提高多孔二氧化钛的光电流，该制备过程简单，对环境污染较小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010829.0

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：张萌;朱胜利;崔振铎;杨贤金

主权项：一种非晶纳米多孔二氧化钛复合材料，其特征在于，在纳米多孔的二氧化钛结构中沉积硫化镉，按照下述步骤进行制备：步骤(1)利用电化学脱合金法制备纳米多孔二氧化钛：将非晶钛铜合金作为工作电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以铂网或者铂片或者石墨电极作为辅助电极，电解液为硝酸水溶液，浓度为3?8mol/L，相对于开路电位恒电位加压0.75～1.5V，在50～80℃的水浴中进行1～4小时的电化学脱合金反应，可制得非晶纳米多孔二氧化钛步骤(2)将步骤(1)制备的非晶纳米多孔二氧化钛置于CdS沉积液中在50～90℃水浴中沉

专利地区：天津