氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法专利登记公告

专利名称：氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法

摘要：本发明公开了一种氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法，主要解决现有太阳电池效率低，成本高问题。其自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、AlN缓冲层(2)、外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6)。其中，AlN缓冲层(2)采用MOCVD生长，厚度为150-200nm；外延层(3)为采用MOCVD生长的厚度为2-3μm、电子浓度为1.0×1017cm-3-2.0×1018cm-3的氮面n-GaN，且与有机聚合物(5)的接触面为布满凹陷的绒面，凹陷密度为1.0×107cm-2-4.0×108cm-2，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010844.5

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：冯倩;李倩;郝跃;邢涛;王强

主权项：一种氮面氮化镓绒面太阳能电池，自下而上包括：蓝宝石衬底(1)、AlN缓冲层(2)、外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6)，其特征在于外延层(3)采用氮面n?GaN，且该氮面n?GaN层与有机聚合物层的接触面处采用绒面结构，即氮面n?GaN表面布满凹陷，其凹陷的密度为1×107cm?2?4×108cm?2，深度为450nm?1.5μm。

专利地区：陕西