掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷专利登记公告

专利名称：掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷

摘要：本发明公开了一种外加二氧化铈的铌锑锆钛酸铅压电陶瓷材料，其组分及其质量百分比含量为Pb0.93Ba0.07(Nb1/2Sb1/2)0.06(Zr0.52Ti0.48)0.94O3+xwt.％CeO2，其中x＝0.1～5.0。烧结温度为1220℃～1280℃，保温2h。本发明采用传统的固相合成制备方法，提供了一种综合电学性能良好的铌锑锆钛酸铅压电陶瓷，其成分及步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。本发明所得的压电陶瓷非常适用于制备大功率驱动器、高温检测器件等对压电陶瓷综合性能有较高要求的器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010847.9

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：孙清池;吴涛;马卫兵;刘志华;李建平

主权项：一种掺杂二氧化铈的铌锑?锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其质量百分比含量为：以Pb0.93Ba0.07(Nb1/2Sb1/2)0.06(Zr0.52Ti0.48)0.94O3为基石出，外加xwt.％CeO2，其中x＝0.1～5.0。

专利地区：天津