分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法

摘要：本发明提供的是分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法。包括栅引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)、厚氧化层(103)、栅电极连接金属(104)、源电极(105)、漂移区(N-)(106)、漏电极(107)；栅电极引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)和厚氧化层(103)组合结构构成器件终端且在相同掩膜板及相同工艺中形成。本发明通过5块光刻板的工艺制造流程实现分裂栅型沟槽功率MOS器件结构，在保证器件有超低的导通电阻的同时，不影响器件的击穿电压及寄生电容，在优化了

专利类型：发明专利

专利号：CN201210010923.6

专利申请（专利权）人：哈尔滨工程大学

专利发明（设计）人：王颖;胡海帆;焦文利;曹菲

主权项：一种分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构，包括栅引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)、厚氧化层(103)、栅电极连接金属(104)、源电极(105)、漂移区(N?)(106)、漏电极(107)；其特征是：栅电极引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)和厚氧化层(103)组合结构构成器件终端且在相同掩膜板及相同工艺中形成。

专利地区：黑龙江