基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法专利登记公告

专利名称：基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法

摘要：本发明公布了一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法，涉及分子探测与识别技术和金属微纳结构制备方法，该类表面增强拉曼散射基底由具有纳米级间隙的金属微纳结构组成，在间隙内存在表面等离子体激元局域场耦合效应；具体形式包括：Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系、Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系、Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系；制备方法包括湿化学法和真空热蒸镀法。本发明该类表面增强拉曼散射基底的制备方法安全简便，不需要复杂的设备，成本低，结构稳定可控，重复率高，同时能提供高增强因

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011500.6

专利申请（专利权）人：中国科学技术大学

专利发明（设计）人：温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海

主权项：一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：采用湿化学法制备Ag颗粒，具体是利用乙二醇还原硝酸银，制得Ag纳米立方体，离心后获得Ag纳米立方体的水溶液；在干净的玻璃衬底上真空热蒸镀Ag，获得连续平整的纳米级Ag膜；在Ag膜上旋涂一层PMMA/苯甲醚溶液，烘干成膜，获得PMMA间隔层；在PMMA层上滴加Ag纳米立方体水溶液，自然晾干，得Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系。

专利地区：安徽