一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极专利登记公告

专利名称：一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极

摘要：一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极，由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成；其制备方法是：首先将钽片经表面预处理后，利用热丝CVD设备在钽片上沉积掺硼金刚石薄膜，然后对掺硼金刚石薄膜进行氨基化修饰，最后在氨基化的金刚石薄膜表面采用化学交联法固定抗坏血酸氧化酶；该电极可用于电化学生物传感器。本发明的优点是：该抗坏血酸氧化酶传感器电极检测限达1×10-11mol/L，且由于继承了金刚石耐腐蚀、极高的析氧过电位、宽的电势窗口、较高电化学的稳定性等优点，决定了该电极灵敏度高、重现性好、寿命长。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011575.4

专利申请（专利权）人：天津理工大学

专利发明（设计）人：朱宁;申风婷;姜啸宇;曲长庆;张辉;戴玮;张聪聪;尹振超

主权项：一种基于掺硼金刚石薄膜的抗坏血酸氧化酶传感器电极，其特征在于：由硼掺杂金刚石薄膜、氨基单分子层和酶膜层构成。

专利地区：天津