一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法专利登记公告

专利名称：一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法

摘要：本发明涉及一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法。本发明化学通式为：(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶(0.5～2)。本发明制得的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的击穿电场又具有较高的饱和极化强度，能够在高储能密度电容器中应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011840.9

专利申请（专利权）人：内蒙古科技大学

专利发明（设计）人：郝喜红;王莹;杨吉春

主权项：一种具有高击穿场强特性的锆酸铅基反铁电厚膜，其特征在于，化学组分：(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比，(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶0.5～2。

专利地区：内蒙古