在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器专利登记公告

专利名称：在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器

摘要：多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210012935.2

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：巫昆懋;林志勋;叶玉隆;蔡冠智

主权项：一种器件，包括：多个金属层，包括顶部金属层；超厚金属(UTM)层，在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在所述UTM层和所述顶部金属层之间；以及金属?绝缘体?金属(MIM)电容器，在所述UTM层下方并且在所述顶部金属层上方。

专利地区：台湾