一种改进型湿度传感器的制作方法专利登记公告

专利名称：一种改进型湿度传感器的制作方法

摘要：本发明涉及一种改进型的湿度传感器的制作方法，其特征在于，在电极板之间涂覆的聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料，后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔，空腔底部有由腐蚀方法制作的硅通孔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积，同时便于气体通过传感器，具有响应时间短的特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013080.5

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：宁文果;罗乐;徐高卫;朱春生;李珩

主权项：一种改进型的湿度传感器的制作方法，其特征在于在电极板之间涂覆的聚酰亚胺层作为湿度敏感材料，然后在聚酰亚胺薄膜层中利用光刻技术制作空腔，空腔底部对应制作有由腐蚀方法制作的硅通孔；具体步骤是：①首先在硅圆片上制作硅通孔；②在硅片上溅射金属层作为种子层；③然后电镀出电容电极；④再涂覆聚酰亚胺作为电容的介电材料和传感器的湿度敏感材料；⑤最后在聚酰亚胺薄膜中利用光刻技术在硅通孔对应位置制作空腔。

专利地区：上海