一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法专利登记公告

专利名称：一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法

摘要：一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法，包括以下步骤：（1）对常压高温裂解转化合成装置抽真空，用氮气充满至常压；（2）将聚硅碳硅烷引入常压高温裂解转化合成装置内；（3）将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物置于常压高温裂解转化合成装置内；（4）升温至420℃～460℃，反应10h～16h，冷却至室温；（5）将第（4）步所得粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液进行旋转蒸馏，冷却至室温，即成。本发明反应时间短，合成产率高；产品分子结构的线性度高；设备简单；催化剂成本低；操作安全。合成的聚碳硅烷先驱体适用于制备

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013753.7

专利申请（专利权）人：中国人民解放军国防科学技术大学

专利发明（设计）人：谢征芳;王军;宋永才;薛金根

主权项：?一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对常压高温裂解转化合成装置抽真空，用氮气置换釜内气体至常压，重复2?4次；（2）将聚硅碳硅烷引入到常压高温裂解转化合成装置内；（3）将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物，引入常压高温裂解转化合成装置内，催化剂的用量为聚硅碳硅烷质量的0.1%～5%；（4）程序升温至400℃～460℃，反应10h～16h，冷却至室温；（5）将第（4）步所得粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在150℃～210℃进行旋转蒸馏，冷却至室温，即成。

专利地区：湖南