在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备专利登记公告
专利名称：在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备
摘要：本发明公开了一种通过压缩成型工艺沉积磷光体的方法和设备，该方法包括：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的所述多个重新排列的发光器件。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210014666.3
专利申请（专利权）人：三星LED株式会社
专利发明（设计）人：刘哲准;洪性在
主权项：一种沉积磷光体的方法，该方法包括下述步骤：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的多个重新排列的所述发光器件。
专利地区：韩国
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