铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法专利登记公告

专利名称：铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法

摘要：一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多

专利类型：发明专利

专利号：CN201210014789.7

专利申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所

专利发明（设计）人：夏长泰;赛青林;司继良;李晓清;杨卫桥;狄聚青;许鹏;王璐璐

主权项：一种铈掺杂氧化铝?钇铝石榴石共晶的生长方法，其特征在于采用了石墨加热体的垂直温梯炉法，该方法包括下列步骤：①采用99.999%的Al2O3?、Y2O3和CeO2原料，根据摩尔比Al2O3?:?Y2O3?:?CeO2＝a?:?b?:?c，其中a+b+c/2=1,?a=0.775～0.825,?c/(2b+c)=0.01～0.06，选定按摩尔比参数a?、?b?、c后并按摩尔比称量原料；②将所述的称量原料经乙醇湿法球磨10小时以上混合均匀后烘干，然后用液压机压制成小于温梯炉的坩埚尺寸的块体，经过1200℃高温烧

专利地区：上海