一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法专利登记公告

专利名称：一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法

摘要：本发明公开了一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其中，包括以下步骤：在一设置多个电阻感应器的等离子体辅助化学气相沉积设备的反应腔室中，淀积不同厚度的薄膜于所述反应腔室内壁，并且计算出电阻与所述薄膜厚度的变化关系；感应测试出所述腔室内壁淀积薄膜厚度为T时的电阻值R，比较R与所述反应腔室没有薄膜时的电阻值R0和所述反应腔室内淀积临界厚度薄膜Tm时的电阻值RM；当R≤RM时，所述电阻感应器触发所述PEVCD设备自动进行清洗；当R=R0时，所述PEVCD设备停止清洗。本发明能够精确计算出清洗该薄膜所需

专利类型：发明专利

专利号：CN201210014809.0

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文

主权项：一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一设置多个电阻感应器的等离子体辅助化学气相沉积设备的反应腔室中，淀积不同厚度的薄膜于所述反应腔室内壁，并且计算出电阻与所述薄膜厚度的变化关系；步骤S2：感应测试出所述腔室内壁淀积薄膜厚度为T时的电阻值R，比较R与所述反应腔室没有薄膜时的电阻值R0?和所述反应腔室内淀积临界厚度薄膜Tm时的电阻值RM；步骤S3:?当R≤RM时，所述电阻感应器触发所述等离子体辅助化学气相沉积设备自动进行清洗；步骤S4：当R=?R0时，所述等离

专利地区：上海