一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件专利登记公告

专利名称：一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件

摘要：本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连，第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构，利用齐纳管作为辅助触发单元，可以进一步有效降低可控硅的触发电压，实现低触发电压的ESD

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015046.1

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：董树荣;吴健;黄丽;苗萌;曾杰;马飞;郑剑锋

主权项：一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，其特征在于，包括：P?衬底层(10)；所述的P?衬底层(10)上设有N?阱(21)和P?阱(22)，所述的N?阱(21)与P?阱(22)并排相连；所述的N?阱(21)与P?阱(22)的接合处上设有第三N+有源注入区(33)；所述的N?阱上(21)并排设有第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)；所述的第一P+有源注入区(41)位于第一N+有源注入区(31)和第三N+有源注入区(33)之间；所述的P?阱(22)上并排设有第二P+有源注入区(42)和第二N+有源

专利地区：浙江