白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法专利登记公告

专利名称：白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法

摘要：本发明公开一种白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法，白光LED外延片在蓝宝石衬底上成型有GaN缓冲层，在缓冲层上依次成型有绿光N-GaN接触层、绿光InGaN/GaN多量子阱发光层、绿光P-GaN接触层、蓝绿光级联层、蓝光N-GaN接触层、蓝光InGaN/GaN多量子阱发光层、蓝光P-GaN接触层、红蓝光级联层、红光N-GaP电流扩展及欧姆接触层、红光N-AlGaInP过渡及下限制层、红光多量子阱AlGaInP发光层、红光P-AlGaInP上限制层、红光P-GaP电流扩展层、黄红光级联

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015781.2

专利申请（专利权）人：鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司

专利发明（设计）人：吉爱华;张杰;边树仁;胡家祺;周升涛;吉志英

主权项：一种白光LED外延片，在蓝宝石衬底(1)上成型有GaN缓冲层(2)，其特征在于：在所述GaN缓冲层(2)上依次成型有绿光N?GaN接触层(3)、绿光InGaN/GaN多量子阱发光层(4)、绿光P?GaN接触层(5)、蓝绿光级联层(6)、蓝光N?GaN接触层(7)、蓝光InGaN/GaN多量子阱发光层(8)、蓝光P?GaN接触层(9)、红蓝光级联层(10)、红光N?GaP电流扩展及欧姆接触层(11)、红光N?AlGaInP过渡及下限制层(12)、红光多量子阱AlGaInP发光层(13)、红光P?AlGaIn

专利地区：内蒙古