制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法专利登记公告

专利名称：制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法

摘要：本发明公开了一种制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)选择并清洗衬底；(2)用磁控溅射仪在衬底上常温溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(3)用水热法在衬底上生长ZnO纳米锥或纳米棒阵列；(4)选择不同的酸性或碱性腐蚀液，调节腐蚀液浓度、腐蚀时间，得到不同腐蚀程度的表面粗化纳米结构。本发明用简单的方法制作了复杂的纳米结构，调节形貌的范围大，操作简单、易于调控、重复性好，能有效的调节ZnO纳米锥或纳米棒表面粗糙度，增加比表面积和提高表面活性等特性，对于将来更有效的提高传感器

专利类型：发明专利

专利号：CN201210016269.X

专利申请（专利权）人：山东大学

专利发明（设计）人：吴拥中;尹正茂;郝霄鹏;刘晓燕;徐现刚

主权项：一种制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法，包括制备和调控粗化两步，第一步以水热法生长大尺寸ZnO纳米锥或纳米棒阵列，第二步用腐蚀液腐蚀调控大尺寸ZnO纳米锥或纳米棒表面的细微纳米形貌，其特征是：包括以下步骤：(1)选取不溶于水且100℃以下稳定的有机或无机衬底并进行超净级清洗；(2)用磁控溅射仪在衬底上常温溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；(3)采用水热法生长ZnO纳米锥阵列或纳米棒阵列；(4)将步骤(3)制备的ZnO纳米锥阵列或纳米棒阵列用质量浓度1％?15％的强酸弱碱盐溶液腐蚀10秒?

专利地区：山东