半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法

摘要：本发明公开了半导体器件及其制造方法、以及用于传输信号的方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括：第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于第一线圈的第二线圈；以及隔离中间层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210016492.4

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：马库斯·哈默;伯恩哈德·科诺特;安德烈亚斯·斯特拉瑟;乌韦·瓦尔;斯特凡·维尔科费尔

主权项：一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于所述第一线圈的第二线圈；以及隔离中间膜，位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。

专利地区：德国