带有抗反射层的图像传感器及其制造方法专利登记公告
专利名称：带有抗反射层的图像传感器及其制造方法
摘要：一种图像传感器，该图像传感器包括设置在硅衬底上的吸收层，吸收层具有至少SiGe或Ge之一，和直接设置在吸收层上的反射层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210016669.0
专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司
专利发明（设计）人：王子睿;曾晓晖;徐伟诚;杨敦年;刘人诚
主权项：一种图像传感器，包括：形成在衬底上的吸收层，所述吸收层包括至少SiGe或Ge之一；以及直接设置在所述吸收层上的抗反射层。
专利地区：台湾
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