多孔结构石墨烯材料的制备方法专利登记公告

专利名称：多孔结构石墨烯材料的制备方法

摘要：本发明的课题是提供一种多孔结构的石墨烯材料的制备方法。解决的手段是，包括：以多孔氧化镁/硅复合材料作为模板通过化学气相沉积法使碳源在所述多孔氧化镁/硅复合材料的结构内生长石墨烯形成氧化镁/硅/石墨烯复合结构的工序A；通过刻蚀去除复合结构中的模板材料的工序B，从而获得所述多孔结构石墨烯材料。本发明所用模板采用多孔结构的氧化镁/硅复合材料，可利用化学气相沉积法进行宏量制备。该多孔结构石墨烯材料的制备方法工艺简单，过程易控制，材料导电性能优异。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019225.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：黄富强;唐宇峰

主权项：一种多孔结构石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括：以多孔氧化镁/硅复合材料作为模板通过化学气相沉积法使碳源在所述多孔氧化镁/硅复合材料的结构内生长石墨烯形成氧化镁/硅/石墨烯复合结构的工序A；通过刻蚀去除复合结构中的模板材料的工序B，从而获得所述多孔结构石墨烯材料。

专利地区：上海