一种基于Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器专利登记公告

专利名称：一种基于Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器

摘要：本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一Pt/Ti/SiO2/Si衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜直到露出部分Pt/Ti/SiO2/Si衬底的表面导电层作为底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019370.0

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：侯云;黄志明;高艳卿;吴敬;张雷博;周炜;张琰;褚君浩

主权项：一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器，包括：Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)、导电类型为n型的Mn?Co?Ni?O薄膜(2)、导电类型为p型的Mn?Co?Ni?O薄膜(3)、顶电极(4)和底电极(5)，其特征在于：在Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)上依次制备膜厚为100纳米到9微米的导电类型为n型的Mn?Co?Ni?O薄膜(2)，膜厚为100纳米到9微米的导电类型为p型的Mn?Co?Ni?O薄膜(3)；在导电类型为p型的Mn?Co?Ni?O薄膜(3)的部分膜面上制作一块导

专利地区：上海