刺状Sb₂Se₃ 半导体储氢材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：刺状Sb₂Se₃ 半导体储氢材料及其制备方法

摘要：刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。本发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量大且产物需要纯化的技术问题。刺状Sb2Se3半导体储氢材料由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼用溶剂热合成法制成。方法：将K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼并混合后，进行水热反应，再过滤、洗涤、干燥即得。该材料比表面积4.3～4.5m2.g-1，放电容量2

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019404.6

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：陈刚;闫春爽;金仁成;邓明达;孙帅;邹贤

主权项：刺状Sb2Se3半导体储氢材料，其特征在于刺状Sb2Se3半导体储氢材料是由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和质量百分含量为85％的水合肼采用溶剂热合成法制成的刺状的Sb2Se3；其中K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与Na2SeO3的摩尔比为2∶2.9～3.1，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与表面活性剂的质量比为1∶0.5～11，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与乙二醇的质量体积比为1g∶145～150mL，K(SbO)C4H4O6·0.5

专利地区：黑龙江