一种氮化硼光学薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种氮化硼光学薄膜的制备方法

摘要：一种立方氮化硼光学薄膜的制备方法，其是用射频磁控溅射的方法在单晶硅(100)基体上制备立方氮化硼薄膜，通过在烧结六角BN靶材中添加少量的Si，从而能够在立方氮化硼薄膜中或立方氮化硼薄膜与基体之间，形成少量的微晶硅或非晶硅，从而减小立方氮化硼薄膜与单晶硅基体间的性能差异，进而避免了薄膜与基体的爆裂剥离，提高了薄膜与基体的致密性和结合力；并且通过合理的参数控制，制备出均匀且较厚的立方氮化硼光学薄膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210020466.9

专利申请（专利权）人：张金凤

专利发明（设计）人：张金凤

主权项：一种性能优异的立方氮化硼光学薄膜，其特征在由以下步骤制备得到：步骤1)，选用单晶硅作为基体材料，用丙酮在超声波中清洗后用氩气吹干备用。步骤2)，将基体放入射频磁控溅射的真空室样品台上，并将烧结六角BN靶置于靶位，所述烧结六角BN靶中添加有占原子总量3?7％的Si。步骤3)，将真空室内真空度抽到≤5×10?4Pa，同时通入流量为300?350sccm的纯Ar，当真空室气压为2?3Pa时，预溅射5?10min，预溅射的功率为150?200W，基体偏压为500?600V，基体温度为430?470℃，以进一步除去

专利地区：浙江