半导体装置及半导体存储装置专利登记公告

专利名称：半导体装置及半导体存储装置

摘要：本发明的一个方式具备存储电路，该存储电路包括：n个场效应晶体管，该n个场效应晶体管中的每一个是场效应晶体管，将数字数据信号输入到第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，第k个(k是2以上且n(n是2以上的自然数)以下的自然数)场效应晶体管的源极和漏极中的一方与第(k-1)个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接；以及n个电容元件，该n个电容元件中的每一个具有一对电极，第m个(m是n以下的自然数)电容元件的一对电极中的一方与n个场效应晶体管中的第m个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，至少两个电容元

专利类型：发明专利

专利号：CN201210022806.1

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：小山润;山崎舜平

主权项：一种半导体装置，包括：存储电路，其中，所述存储电路包括：n个场效应晶体管(n是2以上的自然数)；以及其每一个具有一对电极的n个电容元件，其中，数字数据信号输入到所述n个场效应晶体管中的第一个场效应晶体管的源极和漏极中的一方，所述n个场效应晶体管中的第k个场效应晶体管(k是2以上且n以下的自然数)的源极和漏极中的一方与所述n个场效应晶体管中的第(k?1)个场效应晶体管的源极和漏极中的另一方电连接，所述n个电容元件中的第m个电容元件(m是n以下的自然数)的一对电极中的一方与所述n个场效应晶体管中的第m个场效应

专利地区：日本