用于制造半导体模块的方法专利登记公告

专利名称：用于制造半导体模块的方法

摘要：一种用于制造具有侧壁绝缘的半导体模块的方法，具有以下特征：提供半导体本体，其具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧；产生至少一个至少部分填充绝缘材料的第一沟槽，其从第一侧出发朝向第二侧的方向伸入到半导体本体中，其中，至少一个第一沟槽在用于第一半导体模块的第一半导体本体区域和用于第二半导体模块的第二半导体本体区域之间产生；产生隔离沟槽，其从半导体本体的第一侧出发朝向半导体本体的第二侧的方向延伸，并且位于第一和第二半导体本体区域之间，从而使得第一沟槽的绝缘材料的至少一部分至少邻接于隔离沟槽的侧壁，以及至少部分地

专利类型：发明专利

专利号：CN201210023525.8

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：卡斯滕·阿伦斯;鲁道夫·贝格尔;曼弗雷德·弗兰克;乌韦·霍克勒;伯恩哈德·科诺特;乌尔里希·克鲁姆贝因;沃尔夫冈·莱内特;贝特霍尔德·舒德尔;于尔根·瓦格纳;斯特凡·维尔科费尔

主权项：一种用于制造具有侧壁绝缘的半导体模块的方法，具有以下特征：?提供半导体本体(10)，所述半导体本体具有第一侧(11)和与所述第一侧(11)相对设置的第二侧(12)，?产生至少一个至少部分填充绝缘材料(13)的第一沟槽(14)，所述第一沟槽从所述第一侧(11)出发朝向所述第二侧(12)的方向伸入到所述半导体本体(10)中，其中，所述至少一个第一沟槽(14)在用于第一半导体模块(20)的第一半导体本体区域(10a)和第二半导体本体区域(10b)之间产生，?产生隔离沟槽(15)，所述隔离沟槽从所述半导体本体(1

专利地区：德国