硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备专利登记公告

专利名称：硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备

摘要：一种硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备，其中硅片转移装置包括：圆形基座，所述圆形基座包括第一基盘和第二基盘，所述第一基盘比第二基盘小，且以圆心重合的方式重叠于第二基盘上，所述第一基盘的边缘处设置有向外开口的卡槽；转移托环，所述转移托环包括环状结构，及自环状结构向内延伸、并与所述卡槽相对应的至少两个支撑柱；转移臂，所述转移臂与所述转移托环连接；其中，所述转移托环的材质为耐高温石英、超强C-C复合材料中的一种，或者为陶瓷，陶瓷表面覆盖有钛、镍合金中的任一种材料。所述半导体工艺反应设备具有所述转移托环。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210024579.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：蔡辉;包中诚;吴明龙

主权项：一种硅片转移装置，其特征在于，包括：圆形基座，所述圆形基座包括第一基盘和第二基盘，所述第一基盘比第二基盘小，且以圆心重合的方式重叠于第二基盘上，所述第一基盘的边缘处设置有向外开口的卡槽；转移托环，所述转移托环包括环状结构，及自环状结构向内延伸、并与所述卡槽相对应的至少两个支撑柱；转移臂，所述转移臂与所述转移托环连接；其中，所述转移托环的材质为耐高温石英、超强C?C复合材料中的一种，或者为陶瓷，所述陶瓷表面覆盖有钛、镍合金中的任一种材料。

专利地区：上海