制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法专利登记公告

专利名称：制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法

摘要：本发明涉及一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法。本发明采用改良的改良坩埚下降法来制备闪烁晶体Cex:La(1-x)Br3，所述改良的坩埚下降法在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；在晶体自发成核阶段，利用预埋的透明石英光纤，导入氦氖激光，通过观测激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化；在晶体生长后，在还原氢气氛下长时间退火，消除晶体热应力并将晶体中的无用的Ce4+变价为Ce3+。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210027676.0

专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所

专利发明（设计）人：吴少凡;叶宁;苏伟平

主权项：一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法，其特征在于：采用一种改良的坩埚下降法来制备无开裂掺铈溴化镧闪烁晶体。

专利地区：福建