用于砷化镓光伏器件的自-旁路二极管功能专利登记公告
专利名称：用于砷化镓光伏器件的自-旁路二极管功能
摘要：本发明的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210027952.3
专利申请（专利权）人：埃尔塔设备公司
专利发明（设计）人：H·聂;B·M·卡耶斯;I·C·凯兹亚力
主权项：一种形成砷化镓基光伏器件的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层；以及提供在所述半导体结构的p?n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下，所述p?n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。
专利地区：美国
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。