一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构专利登记公告

专利名称：一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构

摘要：本发明公开了一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，属于核聚变能源应用领域。具有这种梯度多孔结构的钨基面对等离子体材料按照孔隙率的变化在厚度方向上由三层组成部分组成：表面多孔层、梯度过渡层和基体。梯度过渡层孔隙率从表面多孔层的孔隙率向深度方向逐渐减小，形成一个梯度变化，最终与基体相同。本发明中利用与表面贯通的孔隙将进入面对等离子体材料的氢、氦送回表面，避免了面对等离子体材料中内部起泡的形成，消除了起泡现象。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210028881.9

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：吕广宏;程龙;王波;张颖

主权项：一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：按照孔隙率的变化，钨基面对等离子体材料在厚度方向上由三层组成部分组成，分别为表面多孔层、梯度过渡层和基体，最表面的部分是表面多孔层，表面多孔层下面与之紧密相接的部分为梯度过渡层，最下面与梯度过渡层紧密相连的部分是基体；所述的表面多孔层和梯度过渡层中均有孔隙，孔隙率从表面多孔层向深度方向逐渐减小，在梯度过渡层形成一个梯度变化，最终与基体的孔隙率相同。

专利地区：北京