获得NVM位元的I-V曲线的数字方法专利登记公告

专利名称：获得NVM位元的I-V曲线的数字方法

摘要：本公开涉及获得NVM位元的I-V曲线的数字方法。通过改变数字寄存器设置值，并且搜索每个Iref值时每个位元的转变栅极电压(Vg)，以便在测试模块或电路(110)的控制下使用可数字调整的栅极电压控制电路(117)和参考电流电路(123)获得位元I-V曲线，通过改变Iref值，在用户测试/诊断模式期间使用参考电流(Iref)值和相关联的数字寄存器设置值的校准表(160)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210029471.6

专利申请（专利权）人：飞思卡尔半导体公司

专利发明（设计）人：何晨;理查德·K·埃谷奇

主权项：一种用于产生非易失性存储器位元的电流?电压特性信息的方法，包括：产生与选择的数字寄存器设置值对应的选择的参考电流；对所述选择的参考电流和在给非易失性存储器位元施加扫描栅极电压时由所述非易失性存储器位元产生的漏极电流进行比较，直到识别出转变栅极电压为止；和将所述转变栅极电压和选择的参考电流存储为所述非易失性存储器位元的电流?电压特性信息。

专利地区：美国