具有背封的IGBT器件结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有背封的IGBT器件结构及其制造方法

摘要：本发明提供一种具有背封的IGBT器件结构及其制造方法，所述IGBT器件结构包括半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的正面；背封，位于所述半导体衬底背面，所述背封包括氮化硅层和位于所述氮化硅层和半导体衬底背面之间的氧化层；以及IGBT结构，形成于在所述外延层中和外延层上。所述IGBT器件结构的制造方法通过在IGBT器件结构的半导体衬底背面形成背封结构，避免在工艺制作过程中用于形成IGBT器件结构的前一晶圆的半导体衬底中大量P型掺杂进入后一晶圆的外延层中，影响外延层中掺杂类型和掺杂浓度，从而保护后续形成的I

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030431.3

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：陈艳艳;王剑锋;王琳

主权项：一种具有背封的IGBT器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的正面；背封，位于所述半导体衬底背面，所述背封包括氮化硅层和位于所述氮化硅层和半导体衬底背面之间的氧化层；以及IGBT结构，形成于在所述外延层中和外延层上。

专利地区：上海