图像传感器及其制造方法专利登记公告

专利名称：图像传感器及其制造方法

摘要：本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。根据本发明的图像传感器包括：光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联。根据本发明，在增加MOS电容的情况下，浮置扩散区总电容的电压系数降低，即，总电容随电压变化的波动变小，使输出端电压的线性区范围变大，有利于提高图像传感器的动态范围。并且，对于同样的电容大小，具有MOS电容的图像传感器相对于现有技术具有更小的尺寸。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030435.1

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：吴小利;张克云;饶金华

主权项：一种图像传感器，其特征在于包括：光感元件、传输管、重置晶体管以及源跟随晶体管；其中，在所述传输管和所述重置晶体管之间的浮置扩散区层上布置了一个多晶硅层以形成MOS电容，所述MOS电容与浮置扩散区PN结电容并联。

专利地区：上海