一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法专利登记公告
专利名称:一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法
摘要:本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,包括:制作掩模A;制作X射线光刻的基底B;以及将掩模板A与基底B进行键合,形成大高宽比的X射线衍射光栅。相对于普通的光栅,本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,能制造出大高宽比的X射线衍射光栅。本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,制作工艺简单,成本低廉,能大批量制作。本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,避免了二次电子束直写的复杂,避免了对准不精确问题,能更好的形成精确的大高宽比光栅线条。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210030607.5
专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
专利发明(设计)人:谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明
主权项:一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,其特征在于,包括:制作掩模A;制作X射线光刻的基底B;以及将掩模板A与基底B进行键合,形成大高宽比的X射线衍射光栅。
专利地区:北京
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。