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一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法专利登记公告


专利名称:一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法

摘要:本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,包括:制作掩模A;制作X射线光刻的基底B;以及将掩模板A与基底B进行键合,形成大高宽比的X射线衍射光栅。相对于普通的光栅,本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,能制造出大高宽比的X射线衍射光栅。本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,制作工艺简单,成本低廉,能大批量制作。本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,避免了二次电子束直写的复杂,避免了对准不精确问题,能更好的形成精确的大高宽比光栅线条。

专利类型:发明专利

专利号:CN201210030607.5

专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所

专利发明(设计)人:谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明

主权项:一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法,其特征在于,包括:制作掩模A;制作X射线光刻的基底B;以及将掩模板A与基底B进行键合,形成大高宽比的X射线衍射光栅。

专利地区:北京