一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法及其SERS效应应用专利登记公告

专利名称：一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法及其SERS效应应用

摘要：本发明公开了一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法及其SERS效应应用，通过组装的铜-银原电池在蒸金后的导电玻璃上制备银纳米片阵列，由该方法制备的银纳米片阵列，具有较强的均匀的表面增强拉曼散射，即SERS效应。应用该纳米片阵列作为SERS衬底，实现了对痕量四氯联苯，即PCB-77的快速检测与识别，在用SERS效应实现对持久性有机污染物的快速痕量检测方面，这种衬底具有潜在的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033229.6

专利申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院

专利发明（设计）人：李中波;孟国文;朱储红;张倬;梁婷

主权项：一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A、沉积衬底的预处理：将清洗干净的导电玻璃置于蒸金设备中，在5?mA?左右的的电流下蒸金6?s左右后，得预处理过的导电玻璃待用；B、利用4g/L左右的硝酸银水溶液和8～64g/L柠檬酸水溶液按照体积比为1：1左右的比例相混合均匀，得到沉积液；C、将清洗干净的铜片作为原电池中的负极，预处理过的导电玻璃作为正极，用导线连接两电极后，置于原电池沉积槽中，加入沉积液后，在室温下静置30～80分钟，然后将得到的带有银纳米片阵列的的导电玻璃取出并

专利地区：安徽