具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法

摘要：一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层。通过以上方法制备的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜，其具有超大矫顽力、超高垂直磁各向异性和超高磁能积，同时具有工艺简单、易于集成、且不含贵金属又不含稀土元素等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033517.1

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：赵建华;朱礼军

主权项：一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层，完成具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备。

专利地区：北京