薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管设置在一基材上，包含有闸极、闸介电层、图案化半导体层、源极、覆盖有防蚀导电层的汲极、图案化保护层与透明导电层。防蚀导电层含有氧化铟锡或氧化铟锌，用以防止在蚀刻保护层制程中对汲极造成过蚀刻。在此亦提供一种薄膜晶体管的制造方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033728.5

专利申请（专利权）人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司

专利发明（设计）人：李一帆;锺享显

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：一闸极，位于一基材上；一闸介电层，覆盖该闸极；一图案化半导体层，位于该闸介电层上；一源极及一汲极，位于该图案化半导体层上；一防蚀导电层，位于该汲极的一上表面；一图案化保护层，覆盖该源极、该防蚀导电层及该图案化半导体层，该图案化保护层具有一接触窗露出该防蚀导电层的一部分；以及一透明导电层，位于该图案化保护层上，且该透明导电层经由该接触窗接触该防蚀导电层的该部分。

专利地区：福建