一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法

摘要：本发明提供一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。通过在衬底的有源区设置S

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034358.7

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：崔宁;梁仁荣;王敬;许军

主权项：一种耐高压隧穿晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个浅沟槽隔离STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为第一类型非重掺杂，所述第二埋层为第二类型非重掺杂；源区和漏区，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述第一埋层和第二埋层上，所述源区为第一类型重掺杂，所述漏区为第二类型重掺杂；栅介质和栅极，所述栅介质形成在所述沟道区的浅沟槽隔离STI之上，所述栅极形成在所述栅介质之上。

专利地区：北京