具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器专利登记公告

专利名称：具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器

摘要：公开了基于半导体波导的光接收机，尤其公开了具有分开的吸收和倍增区域的锗/硅雪崩光电检测器。根据本发明方案的装置包括包含紧邻第二类型半导体区的第一类型半导体区的吸收区。第一类型半导体吸收在第一波长范围中的光，第二类型半导体吸收在第二波长范围中的光。限定倍增区以紧邻吸收区并与吸收区分开。倍增区包括存在电场的本征半导体区，以倍增在吸收区中产生的电子。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034390.5

专利申请（专利权）人：英特尔公司

专利发明（设计）人：M·摩斯;O·多森姆;M·潘尼卡;A·刘

主权项：一种用于光学设备的装置，包括：包括紧邻第二类型半导体材料的第一类型半导体材料的吸收区；倍增区，所述倍增区包括其中电场倍增在所述吸收区中产生的电子的区域；以及将所述吸收区与所述倍增区分离的部分分离区。

专利地区：美国