用于气体检测的声表面波传感器芯片敏感膜的制备方法专利登记公告

专利名称：用于气体检测的声表面波传感器芯片敏感膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种用于气体检测的声表面波传感器芯片敏感膜的制备方法，首先，在压电基片的正面蒸镀Cr过渡层，并在Cr过渡层上蒸镀Au层；然后，通过光刻、显影、刻蚀工艺将声表面波传感器掩模版上的图形转移到压电基片表面，并形成声表面波传感器的叉指换能器和生长敏感膜的成膜区；之后，通过套刻版将成膜区掩蔽上光刻胶层，再蒸镀成膜掩蔽层，并采用剥离工艺将成膜区的成膜掩蔽层剥离掉，形成制备敏感膜的窗口；最后，采用成膜方式在成膜区内形成敏感膜。解决了传感器芯片在特定成膜区域内生长敏感膜过程中的掩蔽不严、一致性差、污染芯片及工

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034752.0

专利申请（专利权）人：北京中科飞鸿科技有限公司

专利发明（设计）人：黄歆;李继良;杨思川;万飞

主权项：一种用于气体检测的声表面波传感器芯片敏感膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：首先，在压电基片(1)的正面蒸镀Cr过渡层(2)，并在Cr过渡层(2)上蒸镀Au层(3)；然后，通过光刻、显影、刻蚀工艺将声表面波传感器掩模版上的图形转移到压电基片(1)表面，并形成声表面波传感器的叉指换能器(9)和生长敏感膜(8)的成膜区(5)；之后，通过套刻版将成膜区(5)掩蔽上光刻胶层(6)，再蒸镀成膜掩蔽层(7)，并采用剥离工艺将成膜区(5)的成膜掩蔽层(7)剥离掉，形成制备敏感膜(8)的窗口；最后，采用成膜方式在成膜区(

专利地区：北京