一种聚硅烷合成工艺专利登记公告
专利名称:一种聚硅烷合成工艺
摘要:本发明涉及一种光电导、发光二极管、非线性光学材料、新型光记忆材料、新型复合材料,具体涉及一种聚硅烷合成工艺,属化工技术领域。该合成工艺以二氯甲基苯基硅烷为原材料,采用金属镁、路易斯酸和氯化锂做催化剂,无水四氢呋喃作溶剂,在室温下搅拌,即得高分子量,高收率成品。工艺简单可靠,易操作,危险性较低,产品收率高。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210036272.8
专利申请(专利权)人:张学生
专利发明(设计)人:张学有;吴登魁;颜齐军
主权项:一种聚硅烷合成工艺,其特征是:该合成工艺以二氯甲基苯基硅烷为原材料,采用金属镁、路易斯酸和氯化锂做催化剂,无水四氢呋喃作溶剂,在室温下搅拌,即得高分子量,高收率成品。
专利地区:江苏
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。