一种相变存储器的高速数据写入结构及写入方法专利登记公告

专利名称：一种相变存储器的高速数据写入结构及写入方法

摘要：本发明公开了一种相变存储器的高速数据写入结构和写入方法，包括比较电路、包含N个数据位和一个标志位的数据存储单元、N+1个写入电路以及控制电路；所述比较电路对从阵列读取的数据和需要被写入的数据进行比较，将比较结果发送给控制电路；所述N+1个写入电路中第一写入电路用于对所述数据存储单元的标志位执行设置/重置(SET/RESET)操作，N个写入电路分别用于对所述数据存储单元的N个数据位执行SET/RESET操作；所述控制电路根据比较结果，控制N+1个写入电路对标志位和N个数据位执行不同的SET/RESET操作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210036654.0

专利申请（专利权）人：北京时代全芯科技有限公司

专利发明（设计）人：洪红维;黄崇礼

主权项：一种相变存储器的高速数据写入结构，其特征在于：包括比较电路、包含N个数据位和一个标志位的数据存储单元、N+1个写入电路以及控制电路；所述比较电路对从阵列读取的数据和需要被写入的数据进行比较，将比较结果发送给控制电路；所述N+1个写入电路中第一写入电路用于对所述数据存储单元的标志位执行设置/重置(SET/RESET)操作，N个写入电路分别用于对所述数据存储单元的N个数据位执行SET/RESET操作；所述控制电路接收从阵列读取的数据和需要被写入的数据，以及比较电路发送的比较结果；根据比较结果，在所述数据存储单

专利地区：北京