一种相变存储器的写入电路及写入方法专利登记公告
专利名称:一种相变存储器的写入电路及写入方法
摘要:本发明公开了一种相变存储器的写入电路,可调方波电压脉冲电路的输出端连接到第一开关电路输入端;第一开关电路的第二端与相变电阻的第一端和第二开关电路的第一端相连;相变电阻的第二端与选通管的漏极相连;选通管的源极和第二开关电路的第二端分别接地;可调方波电压脉冲电路在执行置位操作时,输出满足SET操作的第一电压脉冲,在执行重置操作时,输出满足RESET操作的第二电压脉冲;所述第一开关电路在执行SET和RESET操作时闭合;所述第二开关电路在执行SET操作和RESET操作时断开,在RESET操作结束时闭合;所述选通
专利类型:发明专利
专利号:CN201210036655.5
专利申请(专利权)人:北京时代全芯科技有限公司
专利发明(设计)人:王瑞哲;洪红维;董骁;黄崇礼
主权项:一种相变存储器的写入电路,其特征在于,包括:可调方波电压脉冲电路、第一开关电路、第二开关电路、相变电阻和选通管;所述可调方波电压脉冲电路的输出端连接到第一开关电路输入端;第一开关电路的第二端与相变电阻的第一端和第二开关电路的第一端相连;相变电阻的第二端与选通管的漏极相连;选通管的源极和第二开关电路的第二端分别接地;所述可调方波电压脉冲电路在执行置位(SET)操作时,输出满足SET操作所需温度要求的第一电压脉冲,在执行重置(RESET)操作时,输出满足RESET操作所需温度要求的第二电压脉冲;所述第一开关电
专利地区:北京
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