可低温烧结微波介电陶瓷BiZn₂VO₄及其制备方法专利登记公告

专利名称：可低温烧结微波介电陶瓷BiZn₂VO₄及其制备方法

摘要：本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO4及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为BiZn2VO4。(1)将纯度为99.9％以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780～820℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3％。本发明制备的陶瓷在780-820℃烧

专利类型：发明专利

专利号：CN201210037480.X

专利申请（专利权）人：桂林理工大学

专利发明（设计）人：胡长征;方亮;郭汝丽;郑少英;向飞

主权项：一种复合氧化物作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用，其特征在于所述复合氧化物的组成为：BiZn2VO4；所述复合氧化物的制备方法步骤为：(1)将纯度为99.9％以上的ZnO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按BiZn2VO4的组成配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水，烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在780～820℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，剂量占粉末总量的3％。

专利地区：广西