等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法专利登记公告

专利名称：等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法

摘要：本发明提供了一种等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法，在向等离子刻蚀设备反应腔室中通入清洗气体，清洗所述反应腔室之前，在所述等离子刻蚀设备的下电极上放置晶圆，通过所述晶圆保护所述下电极，由此，可在不造成下电极伤害的情况下，对反应腔室进行清洗。通常，所述反应腔室工作20小时之后，便可进行一次干法清洗，每次干法清洗耗时2小时左右，在进行了干法清洗之后，所述反应腔室可在使用180小时之后才进行一次PM，由此延长了PM周期，提高了设备利用率及产能，降低了生产成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210037516.4

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：王明军;张晓瑞;陈明俊

主权项：一种等离子刻蚀设备反应腔室的干法清洗方法，其特征在于，包括：步骤1：在所述等离子刻蚀设备的下电极上放置晶圆；步骤2：在所述等离子刻蚀设备反应腔室中通入清洗气体，清洗所述反应腔室。

专利地区：上海