用于测量磁场的磁电阻传感器专利登记公告

专利名称：用于测量磁场的磁电阻传感器

摘要：本发明设计了一种用于测量磁场的磁电阻传感器。本发明提供了磁电阻传感元件的灵敏度的计算，该灵敏度与形状各向异性能及外场相关。磁电阻元件的长轴与敏感方向平行，同时具有一个垂直敏感方向的外场分量Hcross可以进一步饱和磁电阻元件的磁矩。单片永磁体的作用是产生具有角度的Hcross场同时抵消沿易磁化轴方向的非理想场。高灵敏度磁电阻元件可以广泛应用在电气领域。本发明将会对其构成的六种电桥形式进行阐述。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210037732.9

专利申请（专利权）人：江苏多维科技有限公司

专利发明（设计）人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生

主权项：一种用于测量磁场的磁电阻传感器，其特征在于：它包括：基片，所述基片具有一“X?Y”表面，所述磁电阻传感器的敏感轴平行于Y轴，其中X轴垂直于Y轴；至少一个感应臂，所述感应臂由磁电阻元件构成，所述磁电阻元件设置在基片的“X?Y”表面上，所述磁电阻元件沿Y轴方向的长度大于其沿X轴方向的长度；多个设置在所述磁电阻传感器的基片上的条形永磁体，两两相邻的条形永磁体之间形成间隙磁场，该间隙磁场具有沿X轴和Y轴的分量；焊盘，所述焊盘设置在感应臂的末端可通过其将感应臂相电连。

专利地区：江苏