晶体硅太阳能电池栅状阵列电极及其制备方法与应用专利登记公告

专利名称：晶体硅太阳能电池栅状阵列电极及其制备方法与应用

摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池栅状阵列电极及其制备方法与应用。本发明通过将含有金属底层的半导体晶体硅片置于镀液中，含有金属底层的半导体晶体硅片的背电极通过导线与铂片连接，其前电极被光源进行照射，进行光诱导沉积；将光诱导沉积的半导体晶体硅用水冲洗，接着将表面处理剂附着于半导体晶体硅上；然后清洗、烘干，得到晶体硅太阳能电池栅状阵列电极。本发明所提供的方法简单，易掌握，所需设备少，生产效率较高，成本较低，污染较小，提高了太阳能转换效率、工艺简单稳定；得到的晶体硅太阳能电池栅状阵列电极光亮、均匀、结合力好，而且

专利类型：发明专利

专利号：CN201210037810.5

专利申请（专利权）人：华南师范大学

专利发明（设计）人：莫烨强;罗建成;黄启明;李伟善

主权项：一种晶体硅太阳能电池栅状阵列电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)金属底层的制备：通过真空镀、化学镀、丝网印刷或者喷墨印刷的方法在具有减反射层、p/n结的半导体晶体硅的表面制备金属底层；(2)光诱导沉积：将步骤(1)得到的半导体晶体硅片置于镀液中，将半导体晶体硅片的背电极通过导线与铂片连接，利用光源对半导体晶体硅片的前电极进行照射，进行光诱导沉积；(3)表面处理及清洗：将步骤(2)处理后的半导体晶体硅用水冲洗，接着将表面处理剂附着于半导体晶体硅上；然后清洗、烘干，得到晶体硅太阳能电池栅状阵列电极。

专利地区：广东