单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法专利登记公告

专利名称：单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法

摘要：本发明公开了单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法。实施例涉及MEMS装置，具体涉及单个晶片上的集成有相关电子器件的MEMS装置。实施例利用模块化工艺流程概念作为MEMS-first方法的一部分，从而能够利用新颖的腔体密封工艺。因此减少或消除了由于MEMS加工对电子器件的影响和潜在有害作用。同时，提供了高度灵活的解决方案，能够实施各种测量原理，包括电容式和压阻式。因此，各种传感器应用可具有改进的性能和质量，同时保持成本高效。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210038129.2

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：斯特凡·科尔贝;克莱门斯·普鲁格尔;伯恩哈德·温克勒;安德烈亚斯·桑克尔

主权项：一种形成单片集成传感器装置的方法，包括：通过以下步骤在衬底上形成微机电系统装置：在所述衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上沉积第一硅层，所述第一硅层包括至少一个释放孔；通过所述至少一个释放孔在所述牺牲层内形成腔体；并且通过沉积第二硅层而密封所述腔体；以及在所述衬底上形成电子器件。

专利地区：德国