利用无机层状材料层间二维限域空间制备石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：利用无机层状材料层间二维限域空间制备石墨烯的方法

摘要：一种利用无机层状材料层间二维限域空间制备石墨烯的方法，属于碳纳米材料制备技术。工艺步骤包括：将链状烷基阴离子和碳源分子共插层到层状双羟基复合金属氧化物层间；然后将插层的层状双羟基复合金属氧化物在惰性气氛或还原性气氛下焙烧，碳源分子在二维限域空间内碳化生长为石墨烯，层状双羟基复合金属氧化物层板失水转变为金属氧化物；再通过酸溶解除去金属氧化物得到石墨烯。优点在于，能够通过调变碳源分子的插入量合成不同层数的石墨烯，而且原料来源广泛、稳定安全。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210038611.6

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：杨文胜;孙洁;刘海梅;陈旭;段雪

主权项：一种利用无机层状材料层间二维限域空间制备石墨烯的方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：(1)将二价金属离子M2+的可溶性盐、三价金属离子M′3+的可溶性盐、链状烷基阴离子A?的可溶性盐和碳源分子C混合，溶于脱二氧化碳的去离子水中配制得到混合盐溶液；在氮气保护下将所述混合盐溶液与碱液混合，于氮气保护下在60?80℃反应晶化6?10小时，得到悬浊液，过滤，用去离子水洗涤滤饼至滤液pH值为7?7.5，然后将滤饼在50?60℃干燥6?12小时，得到具有插层结构的层状双羟基复合金属氧化物，其化学组成通式为：[M2+1

专利地区：北京